闪迪新专利：将NAND闪存堆叠在计算芯片下方，破解存储瓶颈

闪迪获得一项新专利（US 12，430，274 B2），提出3D堆叠架构：将搭载CMOS键合阵列的NAND闪存存储裸片堆叠在主计算裸片（AI加速器或GPU）下方。同一中介层仍搭载HBM DRAM，但分工不同--HBM负责低延迟高优先级读写，NAND闪存承担大容量数据操作；宽通道互联降低传输延迟、硬件成本与整体功耗。单组HBF堆叠容量最高可达4TB。该方案目前仅停留在专利阶段，量产仍需解决功耗、制造成本等工程难题。